[시사뉴스 김성훈 기자] 삼성전자가 대내외 경영 불확실성이 커지는 와중에도 핵심 사업인 반도체 부문에 8조원 가량을 투자한다. 선제적 결단을 통한 미래 기회 선점에 나선 것으로 풀이된다.
삼성전자는 경기도 평택캠퍼스 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축하는 투자를 단행한다고 1일 밝혔다.
이번 투자 발표는 지난달 21일 평택캠퍼스에 극자외선(EUV) 파운드리 라인을 조성하겠다고 밝힌 지 열흘 만에 추가로 나왔다. 정확한 투자 규모는 나오지 않았지만 시장에서는 8조원 규모에 달할 것으로 전망하고 있다.
앞서 삼성전자는 지난달 평택 2라인에 낸드플래시 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했으며, 내년 하반기부터 양산을 시작할 계획이다.
잇단 투자를 통해 삼성전자 평택캠퍼스는 2015년 단지 조성공사를 한 지 5년 만에 메모리 반도체와 시스템 반도체를 망라하는 반도체 복합 생산기지로 거듭나게 됐다.
이 부회장은 2015년 당시 1개 라인에 약 30조원이 투입되는 평택 반도체 단지 투자를 두고 고심을 거듭한 끝에 용단을 내린 것으로 알려졌다.
선제적 투자에 힘입어 2017~2018년 메모리 반도체 '슈퍼 호황기' 접어들며 창사 이래 최대 실적을 기록할 수 있었다는 설명이다.
재계는 이날 투자 발표 또한 위기 속에서 기회를 찾으려는 이 부회장의 의지가 반영된 것으로 보고 있다. 실제로 삼성전자는 지난해 4월 '반도체 비전 2030'에 따라 시스템 반도체 사업을 강화하는 행보를 이어가고 있다.
앞서 삼성전자는 지난해 4월 연구개발과 생산시설을 확충하는데 총 133조원을 투자해 오는 2030년까지 시스템 반도체 1위를 달성하겠다는 목표를 밝힌 바 있다. 전문인력 직접 채용 규모도 1만5000명 수준이다.
이에 삼성전자는 올 들어 3나노미터 초미세공정 기술을 개발하고, 지난 2월엔 경기 화성사업장에 극자외선(EUV) 전용 V1 라인을 본격적으로 가동하기 시작했다. 이를 통해 지난 4월에는 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 양산 체제도 갖췄다.
파운드리 뿐만 아니라 이미지센서 사업에서도 삼성전자는 기술력 향상에 박차를 가하고 있다. 지난해 5월에는 세계 최초로 6400만 화소를 개발했고, 6개월 후에는 1억800만 화소 이미지센서를 출시했다.
이재용 부회장은 지난달에는 중국 시안(西安) 삼성 반도체 사업장을 방문해 현장을 직접 점검하기도 했다. 당시 이 부회장은 "새로운 성장동력을 만들기 위해서는 다가오는 거대한 변화에 선제적으로 대비해야 한다"라며 임직원들에게 발빠른 위기 대응을 주문했다.
