[시사뉴스 한지혜 기자] 조 바이든 미국 대통령이 20일 삼성전자 평택공장을 방문한다. 이재용 부회장이 직접 안내에 나서 3나노 공정을 비롯한 최신 기술을 소개할 것이라는 관측이다.

업계에 따르면 삼성전자는 이날 바이든 대통령에게 세계 최초로 개발한 3나노미터(㎚·1나노는 10억분의 1m) 공정의 차세대 반도체를 선보일 것으로 전해졌다.

이 부회장이 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around·게이트올어라운드) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품을 소개할 것이라는 전망이다.

특히 이날 바이든 대통령의 일정에는 삼성전자의 주요 고객사인 미국 반도체 기업 퀄컴의 크리스티아누 아몬 최고경영자(CEO)도 동행하는 것으로 알려졌다.

업계 관계자는 "3나노에서는 파운드리(반도체 위탁생산) 분야 세계 1위인 TSMC보다도 삼성이 앞선다"며 "이 부회장이 직접 소개하며 삼성의 기술력 우위를 공고히 할 가능성이 높다"고 말했다.

삼성전자는 올 상반기 중 GAA 기술을 적용한 3나노 1세대 제품 양산에 돌입할 예정이다. 현재 기술 개발을 마치고 양산 돌입을 위한 준비를 진행 중인 것으로 알려졌다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적은 줄이고 소비전력은 적으면서 성능은 높인 독자적인 신기술이다. 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있다.

한편  바이든 대통령은 이날 오후 삼성전자 평택캠퍼스를 방문, 주요 시설을 살펴볼 예정이다. 미국 대통령이 국내 반도체 공장을 찾는 것은 이번이 처음이다.

바이든 대통령은 그간 지속적으로 반도체 산업에 대한 관심을 표해 왔다. 윤석열 대통령도 동행, 세계 최대 규모인 삼성전자의 반도체 공장에서 경제 기술 동맹 협력 확대 의지를 표명한다.